CMPA1D1E025F 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長(zhǎng)度制造工藝。與硅相比，GaN-on-SiC 具有更優(yōu)越的性能；砷化鎵或 GaN-on-Si；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。此 Ku Band MMIC 有 10 引腳可供選擇；25 毫米 x 9.9 毫米；金屬/陶瓷法蘭封裝，以獲得最佳的電氣和熱性能。
特征
24 dB 小信號(hào)增益
40 W 典型脈沖 PSAT
工作電壓高達(dá) 40 V
OQPSK 下的 20 W 線性功率
A/B類高增益；高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器
應(yīng)用
衛(wèi)星通信上行
相關(guān)型號(hào)
CMPA1D1E025F
CMPA1D1E025F-AMP
CMPA1D1E030D
CMPA2060035D
CMPA2060035F
CMPA2060035F1
CMPA2060035F1-AMP
CMPA2060035F-AMP
CMPA2060035F-AMP1
CMPA2560025D
CMPA2560025F
CMPA2560025F-AMP
CMPA2735015D
CMPA2735015S
CMPA2735030D
CMPA2735030S
CMPA2735075D
CMPA2735075F1
CMPA2735075F1-AMP
CMPA2738060F
CMPA2738060F-AMP
CMPA2935150S
CMPA3135060S
CMPA5259025F
CMPA5259025F-AMP
CMPA5259025S
CMPA5259050D
CMPA5259050F
CMPA5259050F-AMP
CMPA5259050S
