CMPA1D1E030D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CMPA1D1E030D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

小信號(hào)增益 27 dB
工作電壓高 40 V
擊穿電壓高
操作環(huán)境高溫操作
典型 PSAT 30 W

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA1D1E030D 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長(zhǎng)度的制造工藝。與硅相比，GaN-on-SiC 具有更優(yōu)越的性能；砷化鎵或 GaN-on-Si；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。

特征
27 dB 小信號(hào)增益
30 W 典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 40 V
高擊穿電壓
高溫操作

應(yīng)用
衛(wèi)星通信上行

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