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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTRA214602FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTRA214602FC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • P3dB 170 W 典型值
  • 峰值 350 W 典型值
  • 增益 15 dB
  • 效率 60%

--- 產(chǎn)品詳情 ---

GTRA214602FC 是 490 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子移動晶體管 (HEMT) 設(shè)計用于多標(biāo)準蜂窩功率放大器應(yīng)用。 它具有輸入匹配、高效率、以及帶有無耳法蘭的熱增強封裝。

GTRA214602FC-V1


特征
GaN on SiC HEMT 技術(shù)
主要:P3dB = 170 W 典型值
峰值:P3dB = 350 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能:16 μs 脈沖寬度,
10% 占空比,2140 MHz,48 V,Doherty 夾具
增益 = 15 dB @ 49 dBm
效率 = 60% @ 49 dBm
P3dB 時的輸出功率 = 490 W
人體模型 1B 類(根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準

 

 

應(yīng)用
船用雷達
軍用雷達

 

 

相關(guān)型號
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