--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- P3dB 170 W 典型值
- 峰值 350 W 典型值
- 增益 15 dB
- 效率 60%
--- 產(chǎn)品詳情 ---
GTRA214602FC 是 490 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子移動晶體管 (HEMT) 設(shè)計用于多標(biāo)準蜂窩功率放大器應(yīng)用。 它具有輸入匹配、高效率、以及帶有無耳法蘭的熱增強封裝。

特征
GaN on SiC HEMT 技術(shù)
主要:P3dB = 170 W 典型值
峰值:P3dB = 350 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能:16 μs 脈沖寬度,
10% 占空比,2140 MHz,48 V,Doherty 夾具
增益 = 15 dB @ 49 dBm
效率 = 60% @ 49 dBm
P3dB 時的輸出功率 = 490 W
人體模型 1B 類(根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準
應(yīng)用
船用雷達
軍用雷達
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