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FQP6N80

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 800V N-Channel QFET

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Farnell
    Farnell

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    5.8 A
  • 額定電壓
    800 V
  • 閾值電壓
    5 V
  • 閘/源截止電壓
    5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    5.8 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.5 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.95 Ω
  • 漏源電壓
    800 V
  • 漏源極擊穿電壓
    800 V
  • 漏源導通電阻@10V,2.9A
    1.95 Ω
  • 漏源導通電阻
    1.95 Ω
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    31 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 導通電阻
    1.95 Ω
  • 功率耗散
    158 W
  • 關閉延遲時間
    65 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    45 ns
  • 上升時間
    70 ns

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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