深入解析FQP8N80C/FQPF8N80C/FQPF8N80CYDTU N - 通道QFET? MOSFET

一、引言

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是一種常見且關(guān)鍵的電子元件。今天我們要詳細(xì)探討的是Fairchild Semiconductor的FQP8N80C、FQPF8N80C和FQPF8N80CYDTU這三款N - 通道QFET? MOSFET。隨著Fairchild Semiconductor被ON Semiconductor整合，我們?cè)谑褂眠@些元件時(shí)也需要注意一些變化。

文件下載：FQPF8N80C-D.pdf

二、整合相關(guān)注意事項(xiàng)

由于Fairchild Semiconductor與ON Semiconductor的整合，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改以符合ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。因?yàn)镺N Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的零件命名，所以Fairchild零件編號(hào)中的下劃線（）將更改為破折號(hào)（ - ）。在查閱文檔時(shí)，若文檔中包含帶有下劃線（_）的設(shè)備編號(hào)，需到ON Semiconductor網(wǎng)站核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。

三、產(chǎn)品概述

（一）基本信息

這三款N - 通道增強(qiáng)型功率MOSFET采用了Fairchild Semiconductor專有的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，旨在降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。它們適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用。

（二）主要特性

1. 電氣參數(shù)：在(V{GS}=10V)、(I{D}=4.0A)的條件下，最大漏源導(dǎo)通電阻(R_{DS(on)} = 1.55Ω)，漏極電流可達(dá)8.0A，耐壓為800V。
2. 低電荷與電容：典型柵極電荷為35nC，典型反向傳輸電容(C_{rss})為13pF，有助于降低開關(guān)損耗。
3. 雪崩測(cè)試：經(jīng)過100%雪崩測(cè)試，保證了在雪崩情況下的可靠性。

四、產(chǎn)品參數(shù)

（一）絕對(duì)最大額定值

注：*漏極電流受最大結(jié)溫限制。

（二）熱特性

（三）電氣特性

1. 關(guān)斷特性：包括漏源擊穿電壓(BV{DSS})、擊穿電壓溫度系數(shù)(Delta BV{DSS})、零柵壓漏極電流(I{DSS})、柵體正向和反向泄漏電流(I{GSSF})和(I_{GSSR})等參數(shù)。
2. 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓(V{GS(th)})、靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})、正向跨導(dǎo)(g_{fs})等。
3. 動(dòng)態(tài)特性：輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})、反向傳輸電容(C_{rss})等。
4. 開關(guān)特性：包括導(dǎo)通延遲時(shí)間(t{d(on)})、導(dǎo)通上升時(shí)間(t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(off)})、關(guān)斷下降時(shí)間(t{f})以及柵極總電荷(Q{g})、柵漏電荷(Q{gd})、柵源電荷(Q_{gs})等。
5. 漏源二極管特性：最大連續(xù)漏源二極管正向電流(I{S})、最大脈沖漏源二極管正向電流(I{SM})、漏源二極管正向電壓(V{SD})、反向恢復(fù)時(shí)間(t{rr})和反向恢復(fù)電荷(Q_{rr})等。

五、典型特性

文檔中給出了多個(gè)典型特性圖，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨殼溫的變化、瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些特性圖對(duì)于工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中評(píng)估器件性能和進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化非常有幫助。

六、封裝與訂購(gòu)信息

七、注意事項(xiàng)

（一）使用限制

ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國(guó)醫(yī)療設(shè)備，以及任何打算植入人體的設(shè)備。若買方將產(chǎn)品用于此類未預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，需承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。

（二）產(chǎn)品狀態(tài)定義

不同的數(shù)據(jù)表標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)不同的產(chǎn)品狀態(tài)，如“Advance Information”表示產(chǎn)品處于設(shè)計(jì)階段，規(guī)格可能隨時(shí)更改；“Preliminary”表示首次生產(chǎn)，數(shù)據(jù)為初步數(shù)據(jù)；“No Identification Needed”表示全面生產(chǎn)，規(guī)格為最終規(guī)格，但仍可能更改；“Obsolete”表示產(chǎn)品已停產(chǎn)，數(shù)據(jù)表僅作參考。

（三）反假冒政策

Fairchild Semiconductor采取了強(qiáng)有力的措施來保護(hù)自身和客戶免受假冒零件的侵害。建議客戶直接從Fairchild或其授權(quán)經(jīng)銷商處購(gòu)買產(chǎn)品，以確保產(chǎn)品的真實(shí)性、可追溯性和質(zhì)量。

八、總結(jié)

FQP8N80C、FQPF8N80C和FQPF8N80CYDTU這三款N - 通道QFET? MOSFET具有出色的性能和廣泛的應(yīng)用前景。在使用過程中，電子工程師需要關(guān)注整合帶來的零件編號(hào)變化，同時(shí)嚴(yán)格遵守產(chǎn)品的使用限制和注意事項(xiàng)。通過對(duì)產(chǎn)品參數(shù)和典型特性的深入了解，工程師可以更好地將這些器件應(yīng)用到實(shí)際設(shè)計(jì)中，實(shí)現(xiàn)更高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。你在使用這些MOSFET時(shí)遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。