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RUM002N05T2L

制造商：Rohm

描述：MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

Datasheet：

在線詢價(jià)

器件參數(shù)

Function

閾值電壓

1 V
輸入偏置電容@10V

25 pF
類型

N溝道
漏源電阻

7.2 Ω
漏源電壓

50 V
漏源極擊穿電壓

50 V
漏源導(dǎo)通電阻@200mA,4.5V

2.2 Ω
漏源導(dǎo)通電阻

2.2 Ω
柵源電壓

8 V
柵源極閾值電壓@1mA

1 V
晶體管類型

N溝道
接通延遲時(shí)間

4 ns
功率耗散

150 mW
關(guān)閉延遲時(shí)間

15 ns
下降時(shí)間

55 ns
上升時(shí)間

6 ns

Physical

抗輻射加固

No
引腳數(shù)

3
工作溫度

-55 °C, 150 °C
安裝方式

Surface Mount
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

SOT-723

Compliance

無(wú)鉛

Lead Free

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