2N7002L與2V7002L小信號(hào)N溝道MOSFET的全面解析
2N7002L與2V7002L小信號(hào)N溝道MOSFET的全面解析
作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，MOSFET是我們常用的器件之一。今天就來(lái)詳細(xì)解析一下 onsemi 公司的 2N7002L 和 2V7002L 這兩款小信號(hào) N 溝道 MOSFET，希望能為大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中提供一些參考。
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產(chǎn)品概述
2N7002L 和 2V7002L 是適用于小信號(hào)應(yīng)用的 N 溝道 MOSFET，采用 SOT - 23 封裝。其中，2V7002L 帶有 2V 前綴，適用于汽車及其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了 AEC - Q101 認(rèn)證，具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）能力。這兩款器件都符合無(wú)鉛、無(wú)鹵素/BFR 以及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)鍵參數(shù)
最大額定值
- 電壓參數(shù)：漏源電壓 VDSS 最大為 60Vdc，漏柵電壓 VDGR（RGS = 1.0 MΩ）同樣為 60Vdc，柵源連續(xù)電壓 VGS 為 ±20Vdc，非重復(fù)脈沖電壓 VGSM 為 ±40Vpk。
- 電流參數(shù)：在 TC = 25°C 時(shí)，連續(xù)漏極電流 ID 為 ±115mAdc；TC = 100°C 時(shí)，連續(xù)漏極電流為 ±75mAdc；脈沖漏極電流 IDM 為 ±800mAdc。
熱特性
不同的散熱條件下，器件的熱特性有所不同：
- FR - 5 板：在 TA = 25°C 時(shí)，總器件功耗 PD 為 225mW，25°C 以上需按 1.8mW/°C 進(jìn)行降額，結(jié)到環(huán)境的熱阻 RJA 為 556°C/W。
- 氧化鋁基板：TA = 25°C 時(shí)，總器件功耗 PD 為 300mW，25°C 以上按 2.4mW/°C 降額，結(jié)到環(huán)境的熱阻 RJA 為 417°C/W。
- 工作溫度范圍：結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55°C 到 +150°C。
電氣特性
關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓：V(BR)DSS 在 VGS = 0，ID = 10μAdc 時(shí)為 60Vdc。
- 零柵壓漏極電流：TJ = 25°C（VGS = 0，VDS = 60Vdc）時(shí)為 1.0μAdc；TJ = 125°C 時(shí)為 500μAdc。
- 柵體泄漏電流：正向（VGS = 20Vdc）時(shí)最大為 100nAdc，反向（VGS = - 20Vdc）時(shí)最大為 - 100nAdc。
導(dǎo)通特性
- 柵極閾值電壓：VGS(th) 在 VDS = VGS，ID = 250μAdc 時(shí)，最小值為 1.0Vdc，最大值為 2.5Vdc。
- 導(dǎo)通狀態(tài)漏極電流：VDS ≥ 2.0VDS(on)，VGS = 10Vdc 時(shí)，ID(on) 為 500mA。
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電壓：VGS = 10Vdc，ID = 500mAdc 時(shí)為 3.75Vdc；VGS = 5.0Vdc，ID = 50mAdc 時(shí)為 0.375Vdc。
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：VGS = 10V，ID = 500mAdc，TC = 25°C 時(shí)為 7.5Ω，TC = 125°C 時(shí)為 13.5Ω；VGS = 5.0Vdc，ID = 50mAdc，TC = 25°C 和 125°C 時(shí)均為 7.5Ω 和 13.5Ω。
- 正向跨導(dǎo)：gFS 在 VDS ≥ 2.0VDS(on)，ID = 200mAdc 時(shí)為 80mS。
動(dòng)態(tài)特性
- 輸入電容：Ciss 在 VDS = 25Vdc，VGS = 0，f = 1.0MHz 時(shí)最大為 50pF。
- 輸出電容：Coss 在相同條件下最大為 25pF。
- 反向傳輸電容：Crss 最大為 5.0pF。
開關(guān)特性
- 導(dǎo)通延遲時(shí)間：td(on) 在 VDD = 25Vdc，ID = 500mAdc，RG = 25Ω，RL = 50Ω，Vgen = 10V 時(shí)最大為 20ns。
- 關(guān)斷延遲時(shí)間：td(off) 最大為 40ns。
體 - 漏二極管額定值
- 二極管正向?qū)妷?/strong>：VSD 在 IS = 115mAdc，VGS = 0V 時(shí)為 - 1.5Vdc。
- 源極連續(xù)電流：IS 為 - 115mAdc。
- 源極脈沖電流：ISM 為 - 800mAdc。
封裝與訂購(gòu)信息
這兩款器件采用 SOT - 23 封裝，有多種訂購(gòu)選項(xiàng)，如 2N7002LT1G 和 2V7002LT1G 為 3000 個(gè)一盤的卷帶包裝，2N7002LT3G 和 2V7002LT3G 為 10000 個(gè)一盤的卷帶包裝等。
實(shí)際應(yīng)用中的考慮
在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)選擇合適的器件。例如，如果是汽車電子應(yīng)用，2V7002L 是更好的選擇，因?yàn)樗ㄟ^了相關(guān)認(rèn)證，能滿足汽車環(huán)境的可靠性要求。同時(shí)，要注意器件的散熱問題，根據(jù)實(shí)際的散熱條件來(lái)評(píng)估器件的功耗和電流承載能力。另外，在開關(guān)應(yīng)用中，開關(guān)特性參數(shù)對(duì)于電路的性能至關(guān)重要，需要確保導(dǎo)通和關(guān)斷延遲時(shí)間滿足設(shè)計(jì)要求。
大家在使用這兩款 MOSFET 時(shí)，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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60 V、340 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKV
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