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H11G1SM

制造商:ON Semiconductor

描述:OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Datasheet:

在線詢價
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    Future
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 集電極發(fā)射極飽和電壓@50mA,16mA
    850 mV
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    100 V
  • 隔離電壓
    4.17 kV
  • 通道數量
    1
  • 輸出類型
    達林頓晶體管
  • 輸出端數量
    1
  • 輸出電壓
    100 V
  • 輸入電流
    60 mA
  • 輸入電壓類型
    DC
  • 正向電流
    60 mA
  • 正向電壓
    1.3 V
  • 反向電壓
    6 V
  • 反向擊穿電壓
    6 V
  • 功率耗散
    260 mW
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    100 μs
  • 上升時間
    5 μs

Physical

  • 重量
    0.028572 oz
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    100 °C
  • 工作溫度
    100 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Bulk
  • 制造商封裝
    SMD-6P

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Pb-free
庫存量:0
預計交期:
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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