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安森美MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G肖特基功率整流器深度解析

lhl545545 ? 2026-05-13 18:25 ? 次閱讀
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安森美MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G肖特基功率整流器深度解析

一、引言

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,肖特基功率整流器是不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。安森美(onsemi)推出的MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G肖特基功率整流器,憑借其卓越的性能和特性,在市場上占據(jù)了重要地位。本文將對這兩款產(chǎn)品進(jìn)行詳細(xì)解析,幫助電子工程師更好地了解和應(yīng)用它們。

文件下載:MBR1H100SF-D.PDF

二、產(chǎn)品概述

MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G采用肖特基勢壘原理,使用大面積金屬 - 硅功率二極管。它們非常適合低電壓、高頻整流,也可作為續(xù)流和極性保護(hù)二極管,尤其適用于對尺寸和重量要求嚴(yán)苛的表面貼裝應(yīng)用。其小巧的尺寸使其在便攜式和電池供電產(chǎn)品中表現(xiàn)出色,如手機(jī)、充電器、筆記本電腦、打印機(jī)、個人數(shù)字助理(PDA)和PCMCIA卡等。典型應(yīng)用包括AC - DC和DC - DC轉(zhuǎn)換器、電池反接保護(hù)以及多電源電壓的“Oring”應(yīng)用等。

三、產(chǎn)品特性

(一)保護(hù)特性

  1. 應(yīng)力保護(hù):設(shè)有保護(hù)環(huán),可有效保護(hù)器件免受應(yīng)力影響,提高其可靠性和穩(wěn)定性。
  2. 靜電放電(ESD)保護(hù):具有良好的ESD評級,機(jī)器模型和人體模型分別達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn),其中人體模型為3B級,能有效抵抗靜電干擾。

(二)電氣特性

  1. 低正向電壓:正向電壓較低,可降低功耗,提高電路效率。在不同的電流和溫度條件下,正向電壓表現(xiàn)如下:
    • 當(dāng) (I{F}=1.0 A),(T{J}=25^{circ} C) 時(shí),最大瞬時(shí)正向電壓 (V_{F}=0.76V);
    • 當(dāng) (I{F}=2.0 A),(T{J}=25^{circ} C) 時(shí),(V_{F}=0.84V);
    • 當(dāng) (I{F}=1.0 A),(T{J}=125^{circ} C) 時(shí),(V_{F}=0.61V);
    • 當(dāng) (I{F}=2.0 A),(T{J}=125^{circ} C) 時(shí),(V_{F}=0.68V)。
  2. 低反向電流:最大瞬時(shí)反向電流在不同溫度下有不同表現(xiàn),在額定直流電壓下,(T{J}=25^{circ} C) 時(shí)為 (40mu A),(T{J}=125^{circ} C) 時(shí)為 (0.5mA)。

(三)溫度特性

  1. 高工作結(jié)溫:能夠在高達(dá) (175^{circ} C) 的結(jié)溫下正常工作,適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。
  2. 良好的熱阻特性
    • 結(jié)到引腳的熱阻 (Psi_{JCL}=23^{circ}C/W);
    • 結(jié)到環(huán)境的熱阻在不同條件下有所不同,當(dāng)采用 (700mm^{2}) 銅焊盤尺寸(約 (1in^{2}))的1盎司FR4板時(shí),(R{BA}=85^{circ}C/W);當(dāng)采用約 (20mmtimes20mm^{2}) 銅焊盤尺寸的1盎司FR4板時(shí),(R{UA}=330^{circ}C/W)。

(四)其他特性

  1. 環(huán)保特性:這些器件為無鉛、無鹵素/BFR免費(fèi)產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
  2. 封裝特性:采用SOD - 123FL封裝,該封裝專為優(yōu)化自動化電路板組裝而設(shè)計(jì),方便生產(chǎn)制造。同時(shí),其環(huán)氧樹脂符合UL 94 V - 0標(biāo)準(zhǔn),具有良好的阻燃性能。

四、產(chǎn)品參數(shù)

(一)最大額定值

額定值 符號 單位
峰值重復(fù)反向電壓、工作峰值反向電壓、直流阻斷電壓 (V{RRM})、(V{RWM})、(V_{R}) 100 V
平均整流正向電流((T_{L}=162^{circ} C)) (I_{O}) 1.0 A
非重復(fù)峰值浪涌電流(在額定負(fù)載條件下施加浪涌,半波、單相、60Hz) (I_{FSM}) 50 A
存儲和工作結(jié)溫范圍 (T{stg})、(T{J}) -65 至 +175 (^{circ} C)

(二)電氣特性

特性 符號 單位
最大瞬時(shí)正向電壓 (V_{F}) V
((I{F}=1.0 A),(T{J}=25^{circ} C)) 0.76
((I{F}=2.0 A),(T{J}=25^{circ} C)) 0.84
((I{F}=1.0 A),(T{J}=125^{circ} C)) 0.61
((I{F}=2.0 A),(T{J}=125^{circ} C)) 0.68
最大瞬時(shí)反向電流 (I_{R})
(額定直流電壓,(T_{J}=25^{circ} C)) 40 (mu A)
(額定直流電壓,(T_{J}=125^{circ} C)) 0.5 mA

五、封裝與訂購信息

(一)封裝尺寸

采用SOD - 123FL封裝,具體尺寸如下: 尺寸 最小值 標(biāo)稱值 最大值
(A) 0.90 0.95
(A1) 0.00 0.10
(A2) 0.85 0.90 0.95
(b) 0.70 0.90
(C) 0.10 0.15 0.20
(D) 1.50 1.65
(E) 2.50 2.70 2.90
(E1) 1.70 2.10 2.50
(L) 0.55 0.75 0.95
(theta)

(二)訂購信息

器件 封裝 包裝方式
MBR1H100SFT3G SOD - 123(無鉛) 10000/卷帶盤
NRVB1H100SFT3G SOD - 123(無鉛) 10000/卷帶盤

六、典型特性曲線

產(chǎn)品提供了一系列典型特性曲線,包括典型正向電壓、最大正向電壓、典型反向電流、最大反向電流、電流降額、正向功率耗散、電容以及熱響應(yīng)等曲線。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解產(chǎn)品在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)。

七、總結(jié)與思考

安森美MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G肖特基功率整流器以其出色的性能和特性,為電子工程師在設(shè)計(jì)低電壓、高頻電路時(shí)提供了一個優(yōu)秀的選擇。其低正向電壓、高工作結(jié)溫、良好的ESD保護(hù)和環(huán)保特性等,使其在眾多應(yīng)用場景中具有很大的優(yōu)勢。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師還需要根據(jù)具體的電路需求和工作條件,合理選擇和使用這些器件,同時(shí)要注意其最大額定值和熱特性等參數(shù),以確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這兩款產(chǎn)品時(shí),有沒有遇到過什么特別的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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