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SIHD5N80AE-GE3

制造商:Vishay

描述:E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 連續(xù)漏極電流
    4.4 A
  • 輸入偏置電容@100V
    321 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    800 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@1.5A,10V
    1.35 Ω
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    16.5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    62.5 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    TO-252AA
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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