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STD5NM60-1

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

額定電流

8 A
額定電壓

650 V
閾值電壓

4 V
配置

Single
連續(xù)漏極電流

5 A
輸入偏置電容

400 pF
類型

N溝道
等級

Industrial
漏源電阻

1 Ω
漏源電壓

600 V
漏源極擊穿電壓

600 V
漏源導(dǎo)通電阻@10V,2.5A

1 Ω
漏源導(dǎo)通電阻

1 Ω
柵源電壓

30 V
柵源極閾值電壓@250uA

5 V
柵極電荷@10V

18 nC
晶體管類型

N溝道
接通延遲時間

14 ns
功率耗散

96 W
關(guān)閉延遲時間

23 ns
元件數(shù)量

1
下降時間

10 ns
上升時間

10 ns

Physical

抗輻射加固

No
引腳數(shù)

3
工作溫度

-55 °C, 150 °C
安裝方式

Through Hole
包裝方式

Rail/Tube
包裝數(shù)量

75
制造商封裝

TO-251(IPAK)

Compliance

無鉛

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

6.2 mm
長度

6.6 mm
寬度

2.4 mm

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