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SISB46DN-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Datasheet:

在線詢價
  • Element14
    Element14
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    34 A
  • 輸入偏置電容@20V
    1.1 nF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,5A
    11.71 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.2 V
  • 柵極電荷@4.5V
    11 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 功率耗散
    23 W
  • FET功能
    標(biāo)準(zhǔn)

Physical

  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    PowerPAK1212-8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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