探索ADVANTECH AQD - SD3L8GE16 - MG：高性能DDR3L SODIMM內(nèi)存模塊

在當今的電子設(shè)備中，內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性對系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著關(guān)鍵作用。今天，我們將深入探討ADVANTECH的一款高性能內(nèi)存模塊——AQD - SD3L8GE16 - MG，這是一款204Pin DDR3 1.35V 1600 ECC SODIMM 8GB的內(nèi)存產(chǎn)品，基于512Mx8的芯片，具備諸多出色的特性。

文件下載：AQD-SD3L8GE16-MG.pdf

產(chǎn)品概述

AQD - SD3L8GE16 - MG是一款DDR3L SO DIMM內(nèi)存模塊，支持ECC（錯誤檢查與糾正）功能，具有高速、低功耗的特點。它在204 - pin的印刷電路板上使用了18片512Mx8bits的DDR3低電壓SDRAM（采用FBGA封裝）以及一個2K bits的串行EEPROM。該模塊屬于雙列直插式內(nèi)存模塊，適用于204 - pin的邊緣連接器插槽。其同步設(shè)計允許通過系統(tǒng)時鐘進行精確的周期控制，數(shù)據(jù)I/O事務(wù)可以在DQS的兩個邊緣進行，操作頻率范圍和可編程延遲使該設(shè)備適用于各種高帶寬、高性能的內(nèi)存系統(tǒng)應用。

產(chǎn)品特性

環(huán)保與標準兼容性

RoHS合規(guī)：符合RoHS標準，體現(xiàn)了產(chǎn)品在環(huán)保方面的考慮，減少了對環(huán)境的影響。
電源標準：支持JEDEC標準的1.35V（1.28V ~ 1.45V）和1.5V（1.425V ~ 1.575V）電源供應，VDDQ也能在相應電壓范圍內(nèi)工作，為不同的系統(tǒng)需求提供了靈活性。

性能參數(shù)

時鐘頻率：時鐘頻率為800MHZ，數(shù)據(jù)傳輸速率可達1600MT/s，能夠滿足高速數(shù)據(jù)處理的需求。
可編程延遲：具有可編程的CAS Latency（6、7、8、9、10、11）、Additive Latency（0、CL - 2或CL - 1時鐘）以及/CAS Write Latency（CWL = 8，適用于DDR3 - 1600），用戶可以根據(jù)具體的應用場景進行優(yōu)化設(shè)置。
預取與突發(fā)長度：支持8位預取和突發(fā)長度為4或8的數(shù)據(jù)傳輸，有助于提高數(shù)據(jù)傳輸效率。
數(shù)據(jù)傳輸特性：具備雙向差分數(shù)據(jù)選通（Bi - directional Differential Data - Strobe）功能，通過ZQ引腳進行內(nèi)部校準，ODT引腳實現(xiàn)片上終端，EEPROM實現(xiàn)串行存在檢測，還有異步復位功能，保證了數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏蚀_性和穩(wěn)定性。

引腳信息

引腳功能

Symbol	Function
A0~A15, BA0~BA2	Address/Bank input
DQ0~DQ63	Bi - direction data bus.
DQS0~DQS7	Data strobes
/DQS0~/DQS7	Differential Data strobes
CK0, /CK0,CK1, /CK1	Clock Input. (Differential pair)
CKE0, CKE1	Clock Enable Input.
ODT0, ODT1	On - die termination control line
/S0, /S1	DIMM rank select lines.
/RAS	Row address strobe
/CAS	Column address strobe
/WE	Write Enable
DM0~DM7	Data masks/high data strobes
VDD	Core power supply
VDDQ	I/O driver power supply
VREF DQ	DQ reference supply
VREF CA	Command/address reference supply
VDD SPD	SPD EEPROM power supply
SA0~SA1	I2C serial bus address select for EEPROM
SCL	I2C serial bus clock for EEPROM
SDA	I2C serial bus data for EEPROM
VSS	Ground
/RESET	Set DRAMs Known State
VTT	DRAM I/O termination supply
NC	No Connection

引腳分配

詳細的引腳分配表為工程師在設(shè)計電路時提供了精確的指導，確保與其他組件的正確連接。

Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name
01	VREFDQ	41	VSS	81	CB2	121	/WE	161	DQ43	201	SA1
02	VSS	42	DQ21	82	CB7	122	/RAS	162	DQ47	202	SCL
03	VSS	43	/DQS2	83	CB3	123	VDD	163	VSS	203	VTT
04	DQ4	44	DM2	84	VREFCA	124	VDD	164	VSS	204	VTT
05	DQ0	45	DQS2	85	VDD	125	/CAS	165	DQ48
06	DQ5	46	VSS	86	VDD	126	ODT0	166	DQ52
07	DQ1	47	VSS	87	CKE0	127	/CS0	167	DQ49
08	VSS	48	DQ22	88	A15	128	ODT1	168	DQ53
09 10	VSS	49 50	DQ18	89 90	CKE1	129 130	/CS1	169 170	VSS
11	/DQS0 DM0	51	DQ23 DQ19	91	A14 BA2	131	A13 VDD	171	VSS /DQS6
12	DQS0	52	VSS	92	A9	132	VDD	172	DM6
13	DQ2	53	VSS	93	VDD	133	DQ32	173	DQS6
14	VSS	54	DQ28	94	VDD	134	DQ36	174	DQ54
15	DQ3	55	DQ24	95	A12/BC#	135	DQ33	175	VSS
16	DQ6	56	DQ29	96	A11	136	DQ37	176	DQ55
17	VSS	57	DQ25	97	A8	137	VSS	177	DQ50
18	DQ7	58	VSS	98	A7	138	VSS	178	VSS
19	DQ8	59	DM3	99	A5	139	/DQS4	179	DQ51
20	VSS	60	/DQS3	100	A6	140	DM4	180	DQ60
21	DQ9	61	VSS	101	VDD	141	DQS4	181	VSS
22	DQ12	62	DQS3	102	VDD	142	DQ38	182	DQ61
23	VSS	63	DQ26	103	A3	143	VSS	183	DQ56
24	DQ13	64	VSS	104	A4	144	DQ39	184	VSS
25	/DQS1	65	DQ27	105	A1	145	DQ34	185	DQ57
26	VSS	66	DQ30	106	A2	146	VSS	186	/DQS7
27	DQS1	67	VSS	107	A0	147	DQ35	187	VSS
28	DM1	68	DQ31	108	BA1	148	DQ44	188	DQS7
29	VSS	69	CB0	109	VDD	149	VSS	189	DM7
30	/RESET	70	VSS	110	VDD	150	DQ45	190	VSS
31	DQ10	71	CB1	111	CK0	151	DQ40	191	DQ58
32	VSS	72	CB4	112	CK1	152	VSS	192	DQ62
33	DQ11	73	VSS	113	/CK0	153	DQ41	193	DQ59
34	DQ14	74	CB5	114	/CK1	154	/DQS5	194	DQ63
35	VSS	75	/DQS8	115	VDD	155	VSS	195	VSS
36	DQ15	76	DM8	116	VDD	156	DQS5	196	VSS
37	DQ16	77	DQS8	117	A10/AP	157	DM5	197	SA0
38	VSS	78	VSS	118	NC	158	VSS	198	/EVENT
39	DQ17	79	VSS	119	BA0	159	DQ42	199	VDDSPD
40	DQ20	80	CB6	120	NC	160	DQ46	200	SDA

需要注意的是，/S1、ODT1、CKE用于雙列UDIMMs；單排UDIMMs上為NC。CK1和/CK1用于雙列UDIMMs；單排UDIMMs上不使用但需進行終端處理。

工作條件

溫度條件

工作溫度：TOPER為0至85°C，這里的工作溫度是指DRAM中心/頂部的外殼表面溫度，測量條件需參考JESD51 - 2標準。
存儲溫度：TSTG為 - 55至 + 100°C，同樣是DRAM中心/頂部的外殼表面溫度，測量條件參考JESD51 - 2標準。

電氣條件

絕對最大直流額定值：VDD、VDDQ和任何引腳相對于Vss的電壓范圍為 - 0.4至1.975V，超過這些“絕對最大額定值”可能會對設(shè)備造成永久性損壞。
推薦直流工作條件：詳細規(guī)定了VDD、VDDQ、VREFDQ(DC)、VREF CA(DC)等參數(shù)的電壓范圍，同時需注意VDDQ必須小于或等于VDD，VDDQ與VDD相關(guān)聯(lián)，AC參數(shù)測量時VDD和VDDQ需連接在一起，VREF上的峰 - 峰交流噪聲偏差不能超過VREF(DC)的 +/- 1% VDD。

電流規(guī)格

文檔中詳細列出了不同工作模式下的電流參數(shù)，如IDD0（一個銀行激活 - 預充電電流）、IDD1（一個銀行激活 - 讀取 - 預充電電流）等，這些參數(shù)對于評估模塊的功耗和設(shè)計電源供應具有重要意義。

Parameter	Symbol	DDR3 1600 CL11	Unit
Operating One bank Active - Precharge current; tCK = tCK(IDD), tRC = tRC(IDD), tRAS = tRASmin(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands;Address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING	IDD0	657	mA
Operating One bank Active - read - Precharge current; IOUT = 0mA; BL = 8, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRC = tRC (IDD), tRAS = tRASmin(IDD), tRCD = tRCD(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data pattern is same as IDD4W	IDD1	756	mA
Precharge power - down current ; All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING	IDD2P	324	mA
Precharge quiet standby current; All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING	IDD2Q	576	mA
Precharge standby current; All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING	IDD2N	576	mA
Active power - down current; All banks open; tCK = tCK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING	IDD3P	684	mA
Active standby current; All banks open; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING	IDD3N	684	mA
Operating burst read current; All banks open, Continuous burst reads, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data pattern is same as IDD4W	IDD4R	1575	mA
Operating burst write current; All banks open, Continuous burst writes; BL = 8, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands

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產(chǎn)品特性

環(huán)保與標準兼容性

性能參數(shù)

引腳信息

引腳功能

引腳分配

工作條件

溫度條件

電氣條件

電流規(guī)格

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