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FDMA86108LZ

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

Datasheet:

在線詢價
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  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    2.2 A
  • 輸入偏置電容@50V
    163 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@2.2A,10V
    243 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    243 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@10V
    3 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    2.4 W

Physical

  • 配置
    Single
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    WDFN-6

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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