Onsemi FDMA1029PZ雙P溝道MOSFET：超便攜應用的理想之選

在電子設備小型化、高性能化的今天，電池充電開關等關鍵部件的性能和尺寸成為了設計的關鍵考量因素。Onsemi的FDMA1029PZ雙P溝道MOSFET以其出色的性能和緊湊的封裝，為手機和其他超便攜應用提供了理想的解決方案。

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產(chǎn)品概述

FDMA1029PZ專門設計用于手機和其他超便攜設備的電池充電開關，采用單封裝形式，集成了兩個獨立的P溝道MOSFET。其低導通電阻特性有效降低了傳導損耗，在常見的共源配置下，還能實現(xiàn)雙向電流流動，為電路設計提供了更大的靈活性。

產(chǎn)品特性

電氣性能

• 電壓與電流額定值：具備 -20V 的漏源電壓（$V{DS}$）和 ±12V 的柵源電壓（$V{GS}$），連續(xù)漏極電流可達 -3.1A，脈沖電流更是高達 -6A，能滿足不同應用場景下的電流需求。
• 導通電阻：在$V{GS}=-4.5V$時，$R{DS(ON)}$僅為 95mΩ；$V{GS}=-2.5V$時，$R{DS(ON)}$為 141mΩ。低導通電阻有助于減少功耗，提高設備的效率。
• 閾值電壓：柵極閾值電壓$V{GS(th)}$在$I{D}=-250mu A$且參考溫度為$25^{circ}C$時，范圍在 -1.0V 到 -4V 之間。

封裝與散熱

• MicroFET 2x2 封裝：該封裝尺寸小巧，高度僅 0.8mm ，卻擁有出色的散熱性能，非常適合線性模式應用。
• 熱阻特性：在不同的安裝條件下，熱阻表現(xiàn)有所不同。例如，在單操作模式下，安裝在$1in^{2}$的 2oz 銅焊盤上時，熱阻$R_{theta JA}$為$86^{circ}C/W$；而在雙操作模式下，同樣的安裝條件熱阻為$69^{circ}C/W$。良好的散熱性能有助于保證設備在高負載下的穩(wěn)定性。

其他特性

• ESD 保護：HBM ESD 保護等級 > 2.5kV，有效防止靜電對設備造成損壞。
• 環(huán)保特性：該器件無鉛、無鹵化物，符合 RoHS 標準，體現(xiàn)了環(huán)保理念。

電氣特性詳解

關斷特性

• 漏源擊穿電壓：$BVDSS$在$V{GS}=0V$、$I{D}=-250mu A$時為 -20V，且其擊穿電壓溫度系數(shù)為 -12mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：$IDSS$在$V{DS}=-16V$、$V{GS}=0V$時為 -1A。
• 柵體泄漏電流：$IGSS$在$V{GS}=±12V$、$V{DS}=0V$時為 ±10A。

導通特性

• 正向跨導：$gFS$在$V{DS}=-10V$、$I{D}=-3.1A$時為 -11S。

動態(tài)特性

• 輸入電容：$C{iss}$在$V{DS}=-10V$、$V_{GS}=0V$、$f = 1.0MHz$時為 540pF。
• 輸出電容：$C_{oss}$為 120pF。
• 反向傳輸電容：$C_{rss}$為 100pF。

開關特性

• 導通延遲時間：$td(on)$在$V{DD}=-10V$、$I{D}=-1A$、$V{GS}=-4.5V$、$R{GEN}=6Ω$時，范圍在 13ns 到 24ns 之間。
• 關斷延遲時間：為 59ns。
• 關斷下降時間：為 36ns。
• 總柵極電荷：$Qg$在$V{DS}=-10V$、$I{D}=-3.1A$、$V_{GS}=-4.5V$時為 10nC。

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導通區(qū)域特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、導通電阻隨溫度的變化、導通電阻隨柵源電壓的變化、傳輸特性、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、柵極電荷特性、電容特性、最大安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及瞬態(tài)熱響應曲線等。這些曲線為工程師在實際設計中提供了重要的參考依據(jù)，幫助他們更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

封裝與訂購信息

FDMA1029PZ采用 WDFN6 2x2, 0.65P（MicroFET 2x2）封裝，標記為 029。它以 7” 卷軸、8mm 膠帶的形式包裝，每卷 3000 個。對于有需求的工程師，可以參考文檔第 5 頁的詳細訂購和運輸信息。

Onsemi 的 FDMA1029PZ雙P溝道MOSFET憑借其優(yōu)秀的電氣性能、緊湊的封裝和良好的散熱特性，為超便攜設備的電池充電開關設計提供了可靠的解決方案。在實際應用中，工程師可以根據(jù)具體的設計需求，結(jié)合器件的各項特性進行合理的電路設計。你在使用類似 MOSFET 器件時，遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。