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STGWA30M65DF2

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 30A TO247-3

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    60 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    1.55 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    650 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    650 V
  • 配置
    Single
  • 類型
    溝槽場(chǎng)截止
  • 柵極電荷
    80 nC
  • 晶體管類型
    溝槽型場(chǎng)截止
  • 反向恢復(fù)時(shí)間
    140 ns
  • 功率耗散
    258 W

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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