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按產(chǎn)品類型
更多分類

FDN352AP

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    -1.3 A
  • 額定電壓
    -30 V
  • 閾值電壓
    -2 V
  • 閘/源截止電壓
    -2 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    1.3 A
  • 輸入偏置電容@15V
    150 pF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電阻
    180 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,1.3A
    180 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    180 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@4.5V
    1.9 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    4 ns
  • 反向傳輸電容
    20 pF
  • 功率耗散
    500 mW
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 關(guān)閉延遲時間
    10 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    15 ns
  • 上升時間
    15 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOT-23(TO-236)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    940 μm
  • 長度
    2.92 mm
  • 寬度
    1.4 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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