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DMG4435SSS-13

制造商：Diodes

描述：P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    -1.7 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    7.3 A
  • 輸入偏置電容
    1.614 nF
  • 漏源電阻
    20 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    16 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵極電荷
    35.4 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    8.6 ns
  • 功率耗散
    2.5 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    44.9 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    22.8 ns
  • 上升時間
    12.7 ns

Physical

  • 重量
    0.00261 oz
  • 端子間距
    1.27 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SO-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    4.95 mm
  • 寬度
    3.95 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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