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onsemi FDMC4435BZ系列P溝道MOSFET:高性能電源管理的理想之選

lhl545545 ? 2026-04-17 10:15 ? 次閱讀
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onsemi FDMC4435BZ系列P溝道MOSFET:高性能電源管理的理想之選

在電子設(shè)備的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)推出的FDMC4435BZ系列P溝道MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用優(yōu)勢。

文件下載:FDMC4435BZ-D.PDF

產(chǎn)品概述

FDMC4435BZ、FDMC4435BZ - F127和FDMC4435BZ - F127 - L701這三款產(chǎn)品采用了安森美的先進(jìn)POWERTRENCH工藝,該工藝專門針對降低導(dǎo)通電阻進(jìn)行了優(yōu)化。這使得該系列MOSFET非常適合筆記本電腦和便攜式電池組等設(shè)備中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

  • 當(dāng)$V{GS} = -10 V$,$I{D} = -8.5 A$時,最大$r{DS(on)} = 20 mOmega$;當(dāng)$V{GS} = -4.5 V$,$I{D} = -6.3 A$時,最大$r{DS(on)} = 37 mOmega$。低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗,提高電源效率。
  • 大家可以思考一下,在實(shí)際應(yīng)用中,低導(dǎo)通電阻能為設(shè)備帶來哪些具體的好處呢?

寬$V_{GSS}$范圍

擴(kuò)展的$V_{GSS}$范圍( - 25 V)適用于電池應(yīng)用,為電池供電設(shè)備提供了更可靠的保護(hù)。

高性能溝槽技術(shù)

采用高性能溝槽技術(shù),實(shí)現(xiàn)極低的$r_{DS(on)}$,同時具備高功率和高電流處理能力。

ESD保護(hù)

HBM ESD保護(hù)等級典型值 > 7 kV,并且經(jīng)過100% UIL測試,提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

環(huán)保設(shè)計

這些器件為無鉛產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

產(chǎn)品應(yīng)用

DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器高端開關(guān)

在DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器中,F(xiàn)DMC4435BZ系列可作為高端開關(guān),實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。

筆記本電池電源管理

用于筆記本電池的電源管理,有效控制電池的充放電過程,延長電池使用壽命。

筆記本負(fù)載開關(guān)

在筆記本電腦中作為負(fù)載開關(guān),實(shí)現(xiàn)對不同負(fù)載的靈活控制。

電氣特性

最大額定值

符號 參數(shù) 條件 額定值 單位
$V_{DS}$ 漏源電壓 - 30 V
$V_{GS}$ 柵源電壓 ± 25 V
$I_{D}$ 漏極電流(連續(xù)) $T_{C} = 25 °C$ - 18 A
漏極電流(連續(xù)) $T_{A} = 25 °C$ - 8.5 A
漏極電流(脈沖) - 50 A
$E_{AS}$ 單脈沖雪崩能量 32 mJ
$P_{D}$ 功率耗散 $T_{C} = 25 °C$ 31 W
功率耗散 $T_{A} = 25 °C$ 2.3 W
$T{J}, T{STG}$ 工作和存儲結(jié)溫范圍 - 55 至 + 150 °C

電氣參數(shù)

包括關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性和漏源二極管特性等,詳細(xì)參數(shù)可參考數(shù)據(jù)手冊。例如,關(guān)斷特性中的漏源擊穿電壓$B{VDS}$在$I{D} = -250 mu A$,$V{GS} = 0 V$時為 - 30 V;導(dǎo)通特性中的柵源閾值電壓$V{GS(th)}$在$V{GS} = V{DS}$,$I_{D} = -250 mu A$時,最小值為 - 1.0 V,最大值為 - 3.0 V。

典型特性曲線

數(shù)據(jù)手冊中提供了一系列典型特性曲線,如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了產(chǎn)品在不同條件下的性能表現(xiàn),有助于工程師進(jìn)行電路設(shè)計和性能評估。

封裝與訂購信息

該系列產(chǎn)品采用WDFN8 3.3x3.3, 0.65P封裝,提供了詳細(xì)的引腳分配和標(biāo)記圖。訂購信息方面,F(xiàn)DMC4435BZ和FDMC4435BZ - F127采用無鉛封裝,每卷3000個。需要注意的是,部分器件可能已停產(chǎn),請參考數(shù)據(jù)手冊第6頁的表格。

總之,安森美的FDMC4435BZ系列P溝道MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、寬$V_{GSS}$范圍、高ESD保護(hù)等特性,為電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體需求,結(jié)合產(chǎn)品的電氣特性和典型特性曲線,合理選擇和使用該系列MOSFET,以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計。大家在使用過程中遇到過哪些問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享。

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