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STB13N60M2

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    11 A
  • 輸入偏置電容@100V
    580 pF
  • 類型
    N溝道
  • 等級
    Industrial
  • 漏源電阻
    380 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導通電阻@10V,5.5A
    380 mΩ
  • 漏源導通電阻
    380 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    17 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    11 ns
  • 功率耗散
    110 W
  • 關閉延遲時間
    41 ns
  • 下降時間
    9.5 ns
  • 上升時間
    10 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    4.6 mm
  • 長度
    10.4 mm
  • 寬度
    9.35 mm
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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