深入解析 onsemi FQD2N60C/FQU2N60C N 溝道 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能和特性對(duì)電路的穩(wěn)定性和效率起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)詳細(xì)解析 onsemi 公司推出的 FQD2N60C/FQU2N60C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。

文件下載：FQU2N60C-D.PDF

產(chǎn)品概述

FQD2N60C/FQU2N60C 采用 onsemi 專有的平面條紋和 DMOS 技術(shù)制造。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)特別優(yōu)化，旨在降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。該器件適用于開(kāi)關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

電氣性能優(yōu)越

• 高耐壓與大電流：具備 600V 的漏源電壓（V_DSS）和 1.9A 的連續(xù)漏極電流（I_D），能夠滿足大多數(shù)中高壓應(yīng)用的需求。在 V_GS = 10V，I_D = 0.95A 的條件下，導(dǎo)通電阻 R_DS(on) 最大僅為 4.7Ω，有效降低了導(dǎo)通損耗。
• 低柵極電荷：典型柵極電荷僅為 8.5nC，這意味著在開(kāi)關(guān)過(guò)程中所需的驅(qū)動(dòng)能量較小，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，提高電路的開(kāi)關(guān)效率。
• 低反饋電容：反向傳輸電容 C_rss 典型值為 4.3pF，有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和振蕩，提高電路的穩(wěn)定性。

可靠性高

• 雪崩測(cè)試：經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，能夠承受一定的雪崩能量，增強(qiáng)了器件在惡劣工作條件下的可靠性。
• 環(huán)保合規(guī)：這些器件為無(wú)鹵產(chǎn)品，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

熱特性

• 結(jié)到殼熱阻：R_JC 最大為 2.87°C/W，能夠快速將熱量從芯片傳導(dǎo)到外殼，降低芯片溫度。
• 結(jié)到環(huán)境熱阻：在最小 2oz 銅焊盤(pán)條件下，R_JA 最大為 110°C/W；在 1in2 的 2oz 銅焊盤(pán)條件下，R_JA 最大為 50°C/W。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：B_VDSS 在 I_D = 250μA，V_GS = 0V 時(shí)為 600V，擊穿電壓溫度系數(shù)為 -0.6V/°C。
• 零柵壓漏極電流：I_DSS 在 V_DS = 600V，V_GS = 0V 時(shí)為 1μA；在 V_DS = 480V，T_C = 125°C 時(shí)為 10μA。
• 柵體泄漏電流：正向柵體泄漏電流 I_GSSF 在 V_GS = 30V，V_DS = 0V 時(shí)最大為 100nA；反向柵體泄漏電流 I_GSSR 在 V_GS = -30V，V_DS = 0V 時(shí)最大為 -100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：V_GS(th) 在 V_DS = V_GS，I_D = 250μA 時(shí)為 2.0 - 4.0V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：R_DS(on) 在 V_GS = 10V，I_D = 0.95A 時(shí)為 3.6 - 4.7Ω。
• 正向跨導(dǎo)：g_FS 在 V_DS = 40V，I_D = 0.95A 時(shí)為 5.0S。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：C_iss 在 V_DS = 25V，V_GS = 0V，f = 1.0MHz 時(shí)為 180 - 235pF。
• 輸出電容：C_oss 為 20 - 25pF。
• 反向傳輸電容：C_rss 為 4.3 - 5.6pF。

開(kāi)關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：t_d(on) 在 V_DD = 300V，I_D = 2A，R_G = 25Ω 時(shí)為 9 - 28ns。
• 導(dǎo)通上升時(shí)間：t_r 為 25 - 60ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：t_d(off) 為 24 - 58ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間：t_f 為 28 - 66ns。
• 總柵極電荷：Q_g 在 V_DS = 480V，I_D = 2A，V_GS = 10V 時(shí)為 8.5 - 12nC。
• 柵源電荷：Q_gs 為 1.3nC。
• 柵漏電荷：Q_gd 為 4.1nC。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流：I_S 為 1.9A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：I_SM 為 7.6A。
• 漏源二極管正向電壓：V_SD 在 V_GS = 0V，I_S = 1.6A 時(shí)為 1.4V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：t_rr 在 V_GS = 0V，I_S = 2A，dI_F/dt = 100A/μs 時(shí)為 230ns。
• 反向恢復(fù)電荷：Q_rr 為 1.0μC。

封裝與訂購(gòu)信息

封裝形式

該器件提供兩種封裝形式：DPAK3 (IPAK) CASE 369AR 和 DPAK3 (TO - 252 3 LD) CASE 369AS。

訂購(gòu)信息

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨殼溫的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)，可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

總結(jié)

onsemi 的 FQD2N60C/FQU2N60C N 溝道 MOSFET 憑借其優(yōu)越的電氣性能、高可靠性和良好的熱特性，在開(kāi)關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，參考器件的各項(xiàng)參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)電路的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

你在使用這款 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？或者你對(duì)它的哪些特性比較關(guān)注？歡迎在評(píng)論區(qū)留言討論。