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STL26NM60N

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
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  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 連續(xù)漏極電流
    2.7 A
  • 輸入偏置電容@50V
    1.8 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    160 mΩ
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,10A
    160 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    185 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    60 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    13 ns
  • 反向傳輸電容@50V
    6 pF
  • 功率耗散
    125 mW, 3 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    85 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    50 ns
  • 上升時間
    25 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    5
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SMD

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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