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按產(chǎn)品類型
更多分類

SI3493BDV-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

Datasheet:

在線詢價
  • Future
    Future
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    7 A
  • 輸入偏置電容
    1.805 nF
  • 漏源電阻
    27.5 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -20 V
  • 漏源導通電阻
    27.5 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵極電荷
    43.5 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    22 ns
  • 功率耗散
    2.08 W, 2.97 W
  • 關閉延遲時間
    75 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    84 ns
  • 上升時間
    72 ns

Physical

  • 重量
    0.000705 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    TSOP

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    3.05 mm
  • 寬度
    1.65 mm
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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