onsemi互補(bǔ)硅塑料功率達(dá)林頓管BDV65B和BDV64B技術(shù)剖析
在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率晶體管是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們要探討的是安森美(onsemi)推出的互補(bǔ)硅塑料功率達(dá)林頓管BDV65B(NPN)和BDV64B(PNP),它們在通用互補(bǔ)放大器應(yīng)用中作為輸出設(shè)備表現(xiàn)出色。
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產(chǎn)品特性
高直流電流增益
BDV65B和BDV64B具有高直流電流增益,在5A直流電流下,最小直流電流增益HFE可達(dá)1000。這一特性使得它們在需要高電流放大的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越,能夠有效提升電路的性能。
單片結(jié)構(gòu)與內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻
采用單片結(jié)構(gòu),并內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻,這種設(shè)計(jì)不僅簡化了電路設(shè)計(jì),還提高了器件的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí),這些器件是無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 100 | Vdc |
| 集電極 - 基極電壓 | VCB | 100 | Vdc |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEB | 5.0 | Vdc |
| 集電極電流(連續(xù)/峰值) | IC | 10/20 | Adc |
| 基極電流 | IB | 0.5 | Adc |
| 總器件功耗($T_{C}=25^{circ} C$) | PD | 125 | W |
| 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | TJ, Tstg | -65 to +150 | °C |
在設(shè)計(jì)電路時(shí),必須嚴(yán)格遵守這些最大額定值,超過這些限制可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
熱特性
器件的熱特性對于其性能和可靠性至關(guān)重要。BDV65B和BDV64B的熱阻RθJC為1.0°C/W。這意味著在散熱設(shè)計(jì)時(shí),我們需要根據(jù)這個(gè)熱阻來合理規(guī)劃散熱措施,確保器件在工作過程中不會(huì)因?yàn)檫^熱而損壞。
電氣特性
關(guān)斷特性
- 集電極 - 發(fā)射極維持電壓:在集電極電流IC = 30 mAdc,基極電流IB = 0的條件下,集電極 - 發(fā)射極維持電壓VCEO(sus)為100 Vdc。
- 集電極截止電流:在不同的電壓和溫度條件下,集電極截止電流ICEO、ICBO有不同的值。例如,在VCE = 50 Vdc,IB = 0時(shí),ICEO為1.0 mAdc;在VCB = 100 Vdc,IE = 0時(shí),ICBO為0.4 mAdc;在VCB = 50 Vdc,IE = 0,TC = 150°C時(shí),ICBO為2.0 mAdc。
- 發(fā)射極截止電流:在VBE = 5.0 Vdc,IC = 0時(shí),發(fā)射極截止電流IEBO為5.0 mAdc。
導(dǎo)通特性
- 直流電流增益:在IC = 5.0 Adc,VCE = 4.0 Vdc的條件下,直流電流增益hFE為1000。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:在IC = 5.0 Adc,IB = 0.02 Adc時(shí),集電極 - 發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)為2.0 Vdc。
- 基極 - 發(fā)射極飽和電壓:在IC = 5.0 Adc,VCE = 4.0 Vdc時(shí),基極 - 發(fā)射極飽和電壓VBE(on)為2.5 Vdc。
這些電氣特性為我們在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù),我們可以根據(jù)這些參數(shù)來選擇合適的工作點(diǎn)和電路配置。
安全工作區(qū)
晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線表示了晶體管的$I{C}-V{CE}$限制,為了確??煽窟\(yùn)行,晶體管的功耗不能超過曲線所示的范圍。圖6的數(shù)據(jù)基于$T{J(pk)}=150^{circ} C$,$T{C}$根據(jù)條件而變化。二次擊穿脈沖限制在占空比為10%且$T{J(pk)} ≤150^{circ} C$時(shí)有效,$T{J(pk)}$可以根據(jù)圖7的數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。在高殼溫下,熱限制會(huì)使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。
封裝與訂購信息
| 從2012年6月起,該器件僅提供TO - 247封裝。訂購信息如下: | 器件訂購編號 | 封裝類型 | 運(yùn)輸方式 |
|---|---|---|---|
| BDV64BG | TO - 247(無鉛) | 30個(gè)/導(dǎo)軌 | |
| BDV65B | 30個(gè)/導(dǎo)軌 | ||
| BDV65BG | 30個(gè)/導(dǎo)軌 | ||
| BDV64B | 30個(gè)/導(dǎo)軌 |
需要注意的是,部分器件已停產(chǎn),不建議用于新設(shè)計(jì)。如果有相關(guān)需求,可聯(lián)系安森美代表獲取信息,最新信息可在www.onsemi.com上查詢。
機(jī)械尺寸
文檔中還提供了SOT - 93(TO - 218)和TO - 247兩種封裝的機(jī)械尺寸詳細(xì)信息,包括各尺寸的最小值、最大值以及對應(yīng)的英寸尺寸。在進(jìn)行電路板設(shè)計(jì)時(shí),我們需要根據(jù)這些尺寸來合理布局器件,確保器件能夠正確安裝和使用。
綜上所述,安森美的BDV65B和BDV64B達(dá)林頓管具有高電流增益、良好的電氣特性和熱特性等優(yōu)點(diǎn),適用于通用互補(bǔ)放大器應(yīng)用。但在使用過程中,我們必須嚴(yán)格遵守其最大額定值和安全工作區(qū)要求,合理設(shè)計(jì)散熱和電路布局,以確保器件的可靠性和性能。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中,是否遇到過類似器件的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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達(dá)林頓管
+關(guān)注
關(guān)注
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