日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

onsemi互補(bǔ)硅塑料功率達(dá)林頓管BDV65B和BDV64B技術(shù)剖析

lhl545545 ? 2026-05-15 14:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

onsemi互補(bǔ)硅塑料功率達(dá)林頓管BDV65B和BDV64B技術(shù)剖析

在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率晶體管是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們要探討的是安森美(onsemi)推出的互補(bǔ)硅塑料功率達(dá)林頓管BDV65B(NPN)和BDV64B(PNP),它們在通用互補(bǔ)放大器應(yīng)用中作為輸出設(shè)備表現(xiàn)出色。

文件下載:BDV65B-D.PDF

產(chǎn)品特性

高直流電流增益

BDV65B和BDV64B具有高直流電流增益,在5A直流電流下,最小直流電流增益HFE可達(dá)1000。這一特性使得它們在需要高電流放大的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越,能夠有效提升電路的性能。

單片結(jié)構(gòu)與內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻

采用單片結(jié)構(gòu),并內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻,這種設(shè)計(jì)不僅簡化了電路設(shè)計(jì),還提高了器件的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí),這些器件是無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。

最大額定值

參數(shù) 符號 最大值 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCEO 100 Vdc
集電極 - 基極電壓 VCB 100 Vdc
發(fā)射極 - 基極電壓 VEB 5.0 Vdc
集電極電流(連續(xù)/峰值) IC 10/20 Adc
基極電流 IB 0.5 Adc
總器件功耗($T_{C}=25^{circ} C$) PD 125 W
工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 TJ, Tstg -65 to +150 °C

在設(shè)計(jì)電路時(shí),必須嚴(yán)格遵守這些最大額定值,超過這些限制可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。

熱特性

器件的熱特性對于其性能和可靠性至關(guān)重要。BDV65B和BDV64B的熱阻RθJC為1.0°C/W。這意味著在散熱設(shè)計(jì)時(shí),我們需要根據(jù)這個(gè)熱阻來合理規(guī)劃散熱措施,確保器件在工作過程中不會(huì)因?yàn)檫^熱而損壞。

電氣特性

關(guān)斷特性

  • 集電極 - 發(fā)射極維持電壓:在集電極電流IC = 30 mAdc,基極電流IB = 0的條件下,集電極 - 發(fā)射極維持電壓VCEO(sus)為100 Vdc。
  • 集電極截止電流:在不同的電壓和溫度條件下,集電極截止電流ICEO、ICBO有不同的值。例如,在VCE = 50 Vdc,IB = 0時(shí),ICEO為1.0 mAdc;在VCB = 100 Vdc,IE = 0時(shí),ICBO為0.4 mAdc;在VCB = 50 Vdc,IE = 0,TC = 150°C時(shí),ICBO為2.0 mAdc。
  • 發(fā)射極截止電流:在VBE = 5.0 Vdc,IC = 0時(shí),發(fā)射極截止電流IEBO為5.0 mAdc。

導(dǎo)通特性

  • 直流電流增益:在IC = 5.0 Adc,VCE = 4.0 Vdc的條件下,直流電流增益hFE為1000。
  • 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:在IC = 5.0 Adc,IB = 0.02 Adc時(shí),集電極 - 發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)為2.0 Vdc。
  • 基極 - 發(fā)射極飽和電壓:在IC = 5.0 Adc,VCE = 4.0 Vdc時(shí),基極 - 發(fā)射極飽和電壓VBE(on)為2.5 Vdc。

這些電氣特性為我們在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù),我們可以根據(jù)這些參數(shù)來選擇合適的工作點(diǎn)和電路配置。

安全工作區(qū)

晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線表示了晶體管的$I{C}-V{CE}$限制,為了確??煽窟\(yùn)行,晶體管的功耗不能超過曲線所示的范圍。圖6的數(shù)據(jù)基于$T{J(pk)}=150^{circ} C$,$T{C}$根據(jù)條件而變化。二次擊穿脈沖限制在占空比為10%且$T{J(pk)} ≤150^{circ} C$時(shí)有效,$T{J(pk)}$可以根據(jù)圖7的數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。在高殼溫下,熱限制會(huì)使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。

封裝與訂購信息

從2012年6月起,該器件僅提供TO - 247封裝。訂購信息如下: 器件訂購編號 封裝類型 運(yùn)輸方式
BDV64BG TO - 247(無鉛) 30個(gè)/導(dǎo)軌
BDV65B 30個(gè)/導(dǎo)軌
BDV65BG 30個(gè)/導(dǎo)軌
BDV64B 30個(gè)/導(dǎo)軌

需要注意的是,部分器件已停產(chǎn),不建議用于新設(shè)計(jì)。如果有相關(guān)需求,可聯(lián)系安森美代表獲取信息,最新信息可在www.onsemi.com上查詢。

機(jī)械尺寸

文檔中還提供了SOT - 93(TO - 218)和TO - 247兩種封裝的機(jī)械尺寸詳細(xì)信息,包括各尺寸的最小值、最大值以及對應(yīng)的英寸尺寸。在進(jìn)行電路板設(shè)計(jì)時(shí),我們需要根據(jù)這些尺寸來合理布局器件,確保器件能夠正確安裝和使用。

綜上所述,安森美的BDV65B和BDV64B達(dá)林頓管具有高電流增益、良好的電氣特性和熱特性等優(yōu)點(diǎn),適用于通用互補(bǔ)放大器應(yīng)用。但在使用過程中,我們必須嚴(yán)格遵守其最大額定值和安全工作區(qū)要求,合理設(shè)計(jì)散熱和電路布局,以確保器件的可靠性和性能。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中,是否遇到過類似器件的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 達(dá)林頓管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    38

    瀏覽量

    16769
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率達(dá)林頓的檢測

    ,以免造成誤判。具體可按下述幾個(gè)步驟進(jìn)行:  A、用萬用表R×10k擋測量B、C之間PN結(jié)電阻值,應(yīng)明顯測出具有單向?qū)щ娦阅?。正、反向電阻值?yīng)有較大差異?! ?b class='flag-5'>B、在大功率達(dá)林頓
    發(fā)表于 06-04 10:53

    英群 BDV 316C DVD-ROM簡體中文版說明書

    英群 BDV 316C DVD-ROM簡體中文版說明書.zip
    發(fā)表于 02-04 14:14 ?0次下載

    BDV65B 10 A,100 V NPN達(dá)林頓雙極功率晶體

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()BDV65B相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有BDV65B的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,BDV65B真值表,BDV65B管腳等資料,希望可以幫助到廣
    發(fā)表于 04-18 19:42

    BDV64B 10 A 100 V PNP達(dá)林頓雙極功率晶體

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()BDV64B相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有BDV64B的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,BDV64B真值表,BDV64B管腳等資料,希望可以幫助到廣
    發(fā)表于 04-18 19:42

    探索 onsemi NFAM1512L7B:高性能智能功率模塊的技術(shù)剖析

    探索 onsemi NFAM1512L7B:高性能智能功率模塊的技術(shù)剖析 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)自動(dòng)化眾多應(yīng)用場景中,智能
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:40 ?134次閱讀

    onsemi FFSP2065B碳化硅肖特基二極技術(shù)剖析

    onsemi FFSP2065B碳化硅肖特基二極技術(shù)剖析 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能
    的頭像 發(fā)表于 05-06 11:50 ?331次閱讀

    安森美互補(bǔ)功率達(dá)林頓MJF6388與MJF6668:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

    安森美互補(bǔ)功率達(dá)林頓MJF6388與MJF6668:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率達(dá)林頓
    的頭像 發(fā)表于 05-14 16:45 ?206次閱讀

    Onsemi達(dá)林頓互補(bǔ)功率晶體2N6284/2N6286/2N6287深度解析

    Onsemi達(dá)林頓互補(bǔ)功率晶體2N6284/2N6286/2N6287深度解析 在電子工程師
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:40 ?318次閱讀

    Onsemi塑料功率NPN達(dá)林頓晶體BD系列解析

    Onsemi塑料功率NPN達(dá)林頓晶體BD系列解析 在電子電路設(shè)計(jì)中,
    的頭像 發(fā)表于 05-14 18:25 ?710次閱讀

    onsemi PNP達(dá)林頓晶體BD系列:設(shè)計(jì)應(yīng)用與技術(shù)解析

    onsemi PNP達(dá)林頓晶體BD系列:設(shè)計(jì)應(yīng)用與技術(shù)解析 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)互補(bǔ)通用放大器等電路時(shí),選擇合適的晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-14 18:25 ?892次閱讀

    深入解析 onsemi MJD128T4G 互補(bǔ)達(dá)林頓功率晶體

    深入解析 onsemi MJD128T4G 互補(bǔ)達(dá)林頓功率晶體 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:00 ?102次閱讀

    認(rèn)識 onsemi 的 BDX53B/C 和 BDX54B/C 晶體

    、BDX53C(NPN)以及 BDX54B、BDX54C(PNP)塑料功率互補(bǔ)晶體,它們在
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:10 ?102次閱讀

    安森美達(dá)林頓互補(bǔ)功率晶體BDX33/34系列詳解

    安森美達(dá)林頓互補(bǔ)功率晶體BDX33/34系列詳解 在電子工程領(lǐng)域,功率晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:10 ?108次閱讀

    安森美互補(bǔ)達(dá)林頓功率晶體:MJH系列產(chǎn)品解析

    安森美互補(bǔ)達(dá)林頓功率晶體:MJH系列產(chǎn)品解析 在電子工程領(lǐng)域,功率晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:50 ?34次閱讀

    Onsemi達(dá)林頓互補(bǔ)功率晶體:TIP140 - TIP147系列深度解析

    Onsemi達(dá)林頓互補(bǔ)功率晶體:TIP140 - TIP147系列深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:30 ?47次閱讀
    沅江市| 莱西市| 张掖市| 定结县| 商都县| 鸡西市| 尼勒克县| 明光市| 平陆县| 东兰县| 土默特左旗| 盘山县| 洛阳市| 邻水| 封开县| 株洲县| 鄂伦春自治旗| 利津县| 彝良县| 涟源市| 广水市| 太白县| 望城县| 秀山| 钦州市| 即墨市| 彩票| 新干县| 福海县| 仙游县| 南华县| 雷州市| 东平县| 白玉县| 彰化县| 阳高县| 舟山市| 呼伦贝尔市| 丹阳市| 阳原县| 白朗县|