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按產(chǎn)品類型
更多分類

SQJ412EP-T1_GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    32 A
  • 輸入偏置電容
    5.95 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,10.3A
    4.1 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    4.1 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@10V
    120 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    83 W

Physical

  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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