日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用PowerPAK? SO-8L非對稱雙芯片封裝的業(yè)界首款此類器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在滿足汽車行業(yè)節(jié)省空間以及提高DC/DC開關(guān)模式電源效率的需求。這個新器件在一個5mm x 6mm的緊湊型封裝中集成了一個高邊和一個低邊MOSFET，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至8.6 mW。

與單個MOSFET解決方案相比，通過將兩個TrenchFET? MOSFET封裝在一個非對稱封裝中，今天發(fā)布的這款汽車級器件減少了元件數(shù)量和電路板空間需求，同時提高了功率密度。此外，其控制（高邊）和同步（低邊）MOSFET在裸片尺寸上的優(yōu)化組合，可在占空比低于50％的功率轉(zhuǎn)換中提供高于對稱雙器件的效率。

SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V時最大導(dǎo)通電阻為20 mW，典型柵極電荷為9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V時的導(dǎo)通電阻為8.6 mW，典型柵極電荷為19.2 nC。由于沒有內(nèi)部連接的開關(guān)節(jié)點，SQJ264EP為設(shè)計人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性，包括同步降壓或同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。

由于可在超過+175℃的高溫環(huán)境下工作，雙MOSFET能夠提供信息娛樂系統(tǒng)、顯示器、LED照明以及電動自行車等汽車應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。此外，與QFN單封裝和雙封裝相比，SQJ264EP的鷗翼引線允許在其引腳下方實現(xiàn)更好的焊料流，增強(qiáng)自動光學(xué)檢查（AOI）能力以及更高的板級可靠性。

這些MOSFET 100%通過了Rg和UIS測試，符合RoHS要求，不含鹵素。

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