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按產(chǎn)品類(lèi)型
更多分類(lèi)

IPD60R380P6ATMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

Datasheet：

在線詢(xún)價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    10.6 A
  • 輸入偏置電容@100V
    877 pF
  • 類(lèi)型
    N溝道
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@3.8A,10V
    380 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    380 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@320uA
    4.5 V
  • 柵極電荷@10V
    19 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    12 ns
  • 功率耗散
    83 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    33 ns
  • 下降時(shí)間
    7 ns
  • 上升時(shí)間
    6 ns

Physical

  • 重量
    0.139332 oz
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252-3

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    yes
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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