NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
1.概述
NP50P06D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為低門極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。
2.一般特征
? VDS=-60 V，ID=-50A
? RDS(ON)（典型值）=22 MΩ@VGS=-10V
? RDS(ON)（典型值）=27 MΩ@VGS=-4.5V
? 超低RDS的高密度電池設(shè)計(jì)
? 完全特征的雪崩電壓和電流
? 穩(wěn)定性好，均勻性高，EAS高
? 散熱性好的優(yōu)秀封裝
3.應(yīng)用程序
? 負(fù)荷開關(guān)
4.包裝
pdfn5*6-8L-A
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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