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BAS21T-7-F

制造商：Diodes

描述：DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT523

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 額定功率
    150 mW
  • 重復反向電壓
    250 V
  • 配置
    Single
  • 輸出電流
    200 mA
  • 浪涌電流
    2.5 A
  • 正向電流
    400 mA
  • 正向電壓@200m
    1.25 V
  • 極性
    Standard
  • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
    2.5 A
  • 恢復時間
    50 ns
  • 平均整流電流
    200 mA
  • 峰值非重復浪涌電流
    2.5 A
  • 容值
    5 pF
  • 反向電壓
    200 V
  • 反向漏電流@200V
    100 nA
  • 反向恢復時間
    50 ns
  • 功率耗散
    150 mW
  • 二極管配置
    獨立式

Physical

  • 端子間距
    1 mm
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -65 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-523-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    750 μm
  • 長度
    1.6 mm
  • 寬度
    800 μm
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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