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按產(chǎn)品類型
更多分類

FDMS86101

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.9 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    12.4 A
  • 輸入偏置電容
    3 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    8 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,13A
    8 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    8 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    55 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    15 ns
  • 反向傳輸電容
    30 pF
  • 功率耗散
    2.5 W
  • 擊穿電壓
    100 V
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    27 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    7 ns
  • 上升時(shí)間
    11 ns

Physical

  • 重量
    10 mlb
  • 配置
    Single
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    Power(5x6)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.05 mm
  • 長度
    5.1 mm
  • 寬度
    6.25 mm
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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