onsemi FDMS86101 N溝道MOSFET：高效開關的理想之選

在電子設計領域，功率MOSFET是至關重要的元件，廣泛應用于各類電源轉換和開關電路中。今天，我們將深入探討onsemi的FDMS86101 N溝道MOSFET，這款產品采用先進的POWERTRENCH?工藝，具備出色的性能和可靠性。

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產品概述

FDMS86101是一款N溝道MOSFET，通過onsemi先進的POWERTRENCH?工藝制造。該工藝專門針對降低導通電阻進行了優(yōu)化，同時保持卓越的開關性能。其主要特點包括：

• 低導通電阻：在VGS = 10 V、ID = 13 A的條件下，最大RDS(on)僅為8 mΩ，有助于降低功耗，提高效率。
• 先進的封裝與硅片組合：實現(xiàn)低RDS(on)和高效率，采用MSL1穩(wěn)健封裝設計。
• 嚴格測試：經過100% UIL測試和100% Rg測試，確保產品質量和可靠性。
• 環(huán)保合規(guī)：無鉛且符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

應用領域

FDMS86101適用于DC - DC轉換等應用場景，為電源管理提供高效、可靠的解決方案。

關鍵參數(shù)

最大額定值

電氣特性

• 關斷特性：
  • BVDSS：漏源擊穿電壓，ID = 250 μA、VGS = 0 V時為100 V，溫度系數(shù)為66 mV/°C。
  • IDSS：零柵壓漏電流，VDS = 80 V、VGS = 0 V時為800 nA。
  • IGSS：柵源泄漏電流，VGS = ±20 V、VDS = 0 V時為 - 100 nA。
• 導通特性：
  • VGS(th)：柵源閾值電壓，VGS = VDS、ID = 250 μA時，典型值為2.9 V，溫度系數(shù)為 - 9 mV/°C。
  • RDS(on)：靜態(tài)漏源導通電阻，VGS = 10 V、ID = 13 A時，典型值為6.3 mΩ；VGS = 6 V、ID = 9.5 A時，典型值為8.4 mΩ。
  • gFS：正向跨導，VDS = 10 V、ID = 13 A時，典型值為45 S。
• 動態(tài)特性：
  • Ciss：輸入電容，VDS = 50 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz時，典型值為2255 pF。
  • Coss：輸出電容，典型值為460 pF。
  • Crss：反向傳輸電容，典型值為30 pF。
  • Rg：柵極電阻，典型值為1.0 Ω。
• 開關特性：
  • td(on)：開啟延遲時間，典型值為15 ns。
  • tr：上升時間，典型值為11 ns。
  • td(off)：關斷延遲時間，典型值為27 ns。
  • tf：下降時間，典型值為7 ns。
  • Qg：總柵極電荷，VGS = 0 V to 10 V、VDD = 50 V、ID = 13 A時，典型值為39 nC。
• 漏源二極管特性：
  • VSD：源漏二極管正向電壓，VGS = 0 V、IS = 2.1 A時，典型值為0.7 V；IS = 13 A時，典型值為0.8 V。
  • trr：反向恢復時間，IF = 13 A、di/dt = 100 A/μs時，典型值為56 ns。
  • Qrr：反向恢復電荷，典型值為61 nC。

典型特性曲線

文檔中提供了多個典型特性曲線，直觀展示了FDMS86101在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如：

• 導通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關系。
• 歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系曲線：幫助工程師了解導通電阻隨電流和電壓的變化情況。
• 歸一化導通電阻與結溫的關系曲線：體現(xiàn)了導通電阻隨溫度的變化趨勢。

這些曲線為工程師在實際設計中提供了重要的參考依據，有助于優(yōu)化電路性能。

封裝與訂購信息

FDMS86101采用Power 56 (PQFN8)封裝，標記為“$Y&Z&3&K FDMS 86101”，每盤3000個。詳細的訂購和運輸信息可參考數(shù)據手冊第5頁。

總結

onsemi的FDMS86101 N溝道MOSFET憑借其低導通電阻、出色的開關性能和嚴格的測試標準，成為DC - DC轉換等應用的理想選擇。工程師在設計電源電路時，可以充分利用其特性，提高電路的效率和可靠性。同時，通過參考文檔中的典型特性曲線和參數(shù)，能夠更好地進行電路優(yōu)化和性能評估。你在使用類似MOSFET時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經驗和見解。