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SSR1N60BTM-WS

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 輸入偏置電容@25V
    215 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@450mA,10V
    12 Ω
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    7.7 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    2.5 W, 28 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    TO-252
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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