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按產(chǎn)品類型
更多分類

IMBG120R140M1HXTMA1

制造商:Infineon

描述:SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    5.7 V
  • 連續(xù)漏極電流
    18 A
  • 輸入偏置電容@800V
    491 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    1.2 kV
  • 漏源導(dǎo)通電阻@6A,18V
    189 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@2.5mA
    5.7 V
  • 柵極電荷@18V
    13.4 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    107 W
  • FET功能
    Standard

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    TO-263-7-12
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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