onsemi碳化硅模塊NXH010P120M3F1深度解析

在功率電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)憑借其卓越的性能正逐漸成為主流。今天，我們就來深入探討onsemi推出的一款碳化硅模塊——NXH010P120M3F1。

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產(chǎn)品概述

NXH010P120M3F1是一款采用F1封裝的功率模塊，內(nèi)部集成了10mΩ/1200V的SiC MOSFET半橋和一個(gè)熱敏電阻。該模塊有兩種版本可供選擇，一種是預(yù)涂覆熱界面材料（TIM）的，另一種則沒有預(yù)涂覆。同時(shí)，它采用了壓配引腳設(shè)計(jì)，并且符合無鉛、無鹵和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性

電氣特性

1. 高耐壓與低導(dǎo)通電阻：SiC MOSFET的漏源電壓（$V_{DSS}$）可達(dá)1200V，導(dǎo)通電阻低至10mΩ，這使得模塊在高壓應(yīng)用中能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高效率。
2. 寬工作溫度范圍：最低工作結(jié)溫（$T{JMIN}$）為 -40°C，最高工作結(jié)溫（$T{JMAX}$）可達(dá)175°C，能夠適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。
3. 大電流處理能力：在$T{c}=80°C$（$T{J}=175°C$）時(shí)，連續(xù)漏極電流（$I{D}$）可達(dá)105A；脈沖漏極電流（$I{Dpulse}$）在$T_{J}=150°C$時(shí)可達(dá)到316A，能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。

熱特性

模塊的存儲(chǔ)溫度范圍為 -40°C至150°C，具有良好的熱穩(wěn)定性。同時(shí)，模塊還配備了熱敏電阻，可實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度，為系統(tǒng)的熱管理提供支持。

絕緣特性

隔離測試電壓（$V_{is}$）在1s、60Hz的條件下可達(dá)4800V RMS，爬電距離為12.7mm，CTI值為600，基板采用Al?O?陶瓷材料，厚度為0.32mm，這些特性保證了模塊在高壓環(huán)境下的絕緣性能和可靠性。

典型應(yīng)用

該模塊適用于多種領(lǐng)域，包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)汽車充電站以及工業(yè)電源等。在這些應(yīng)用中，模塊的高性能和可靠性能夠有效提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

引腳功能

模塊共有18個(gè)引腳，每個(gè)引腳都有明確的功能。例如，DC+為直流正母線連接，DC - 為直流負(fù)母線連接，S1和G1分別為高端開關(guān)的Kelvin源極和柵極，S2和G2分別為低端開關(guān)的Kelvin源極和柵極，PHASE為半橋的中心點(diǎn)。

電氣參數(shù)

最大額定值

推薦工作范圍

模塊的推薦工作結(jié)溫范圍為 -40°C至150°C，超出此范圍可能會(huì)影響設(shè)備的可靠性。

電氣特性

在$T_{J}=25°C$的條件下，模塊的一些關(guān)鍵電氣參數(shù)如下：

• 柵源閾值電壓（$V_{GS(th)}$）：2.4 - 4.4V
• 柵極泄漏電流（$I_{GSS}$）：最大300μA
• 導(dǎo)通電阻（$R{DS(ON)}$）：在$V{GS}=18V$，$I{D}=90A$，$T{J}=125°C$時(shí)為14.5mΩ；在$V{GS}=18V$，$I{D}=90A$，$T_{J}=150°C$時(shí)為24.5mΩ

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，包括MOSFET的輸出特性曲線、體二極管正向特性曲線、導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線、開關(guān)損耗與漏極電流和柵極電阻的關(guān)系曲線等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解模塊的性能，優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。

訂購信息

總結(jié)

onsemi的NXH010P120M3F1碳化硅模塊憑借其高性能、高可靠性和廣泛的應(yīng)用范圍，為功率電子領(lǐng)域提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以充分利用該模塊的特性，提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。同時(shí)，在使用過程中，需要注意模塊的最大額定值和推薦工作范圍，以確保設(shè)備的正常運(yùn)行。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似模塊的使用問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。