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按產(chǎn)品類型
更多分類

IPD60N10S4L12ATMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    60 A
  • 輸入偏置電容@25V
    3.17 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    9.8 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@60A,10V
    12 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    12 mΩ
  • 柵源電壓
    16 V
  • 柵源極閾值電壓@46uA
    2.1 V
  • 柵極電荷@10V
    49 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    4 ns
  • 技術(shù)
    OptiMOS?-T2
  • 功率耗散
    94 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    20 ns
  • 下降時(shí)間
    21 ns
  • 上升時(shí)間
    3 ns

Physical

  • 重量
    0.139332 oz
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252-3-313

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    yes
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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