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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • CGHV14500F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-15 11:15

    產(chǎn)品型號:CGHV14500F-AMP FET 調(diào)諧范圍:UHF 至 1800 MHz 典型輸出功率:500 W 功率增益:16分貝 典型排水效率:68% 脈沖幅度下降:<0.3 dB
  • CGHV14500F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-15 11:13

    產(chǎn)品型號:CGHV14500F FET 調(diào)諧范圍 :FET 調(diào)諧范圍 UHF 至 1800 MHz 輸出功率:500 W 典型輸出功率 功率增益:16分貝功率增益 排水效率:68% 典型排水效率 脈沖幅度下降:<0.3 dB 脈沖幅度下降
  • CGHV14500P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-15 11:12

    產(chǎn)品型號:CGHV14500P FET 調(diào)諧范圍 :FET 調(diào)諧范圍 UHF 至 1800 MHz 典型輸出功率:500 W 典型輸出功率 功率增益:16分貝功率增益 排水效率:68% 典型排水效率 脈沖幅度下降:<0.3 dB 脈沖幅度下降
  • CGHV14250F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-15 11:04

    產(chǎn)品型號:CGHV14250F-AMP FET 調(diào)諧范圍:FET 調(diào)諧范圍 UHF 至 1800 MHz 典型輸出功率:330 W 典型輸出功率 功率增益:18分貝功率增益 排水效率:77 % 典型排水效率 脈沖幅度下降:< 0.3 dB 脈沖幅度下降
  • CGHV14250F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-15 11:02

    產(chǎn)品型號:CGHV14250F FET 調(diào)諧范圍 :FET 調(diào)諧范圍 UHF 至 1800 MHz 典型輸出功率:330 W 典型輸出功率 功率增益:18分貝功率增益 排水效率:77 % 典型排水效率 脈沖幅度下降:< 0.3 dB 脈沖幅度下降
  • CGHV14250P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-15 11:00

    產(chǎn)品型號:CGHV14250P FET 調(diào)諧范圍 :FET 調(diào)諧范圍 UHF 至 1800 MHz 典型輸出功率:330 W 典型輸出功率 功率增益:18分貝功率增益 典型排水效率:77 % 典型排水效率 脈沖幅度下降:< 0.3 dB 脈沖幅度下降
  • CGH55030F2 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-15 10:43

    產(chǎn)品型號:CGH55030F2 頻率:4.5 至 6.0 GHz 操作 增益:5.65 GHz 時 12 dB 小信號增益 PSAT功率:30 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 60% 的效率 電壓:28 伏操作
  • CGH55030P1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-14 11:32

    產(chǎn)品型號:CGH55030P1 瞬時帶寬:300 MHz 瞬時帶寬 峰值功率能力:30 W 峰值功率能力 增益:10 dB 小信號增益 4 W PAVE:4 W PAVE < 2.0% EVM 平均功率:平均功率為 4 W 時效率為 25%
  • CGH55030F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-14 11:30

    產(chǎn)品型號:CGH55030F1 瞬時帶寬:300 MHz 瞬時帶寬 峰值功率能力:30 W 峰值功率能力 增益:10 dB 小信號增益 4 W PAVE:4 W PAVE < 2.0% EVM 平均功率:平均功率為 4 W 時效率為 25%
  • CGH40180PP-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-14 11:02

    產(chǎn)品型號:CGH40180PP-AMP 頻率:高達 2.5 GHz 的操作 增益:1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益:2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 PSAT功率:220 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 70 % 的效率
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