產(chǎn)品
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EAB450M12XM3碳化硅功率模塊2022-06-09 19:32
產(chǎn)品型號(hào)：EAB450M12XM3 阻斷電壓：1200V 包裹：XM3 配置：半橋 電阻：2.6μJ 模塊尺寸：80 x 53 x 19 毫米 -
CGH40045F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-09 11:39
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40045F-AMP 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 12 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 55% -
CGH40045P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 11:37
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40045P 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 12 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 55% -
CGH40045F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 11:33
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40045F 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 12 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 55% -
CGH40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-09 11:11
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40035F-AMP 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：45 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 60 % 的效率 -
CGH40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 11:08
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40035F 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：45 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 60 % 的效率 -
CGH40025F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-06-09 10:47
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40025F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 62% -
CGH40025F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 10:44
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40025F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 62% -
CGH40025P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-09 10:41
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40025P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 62% -
CAB450M12XM3碳化硅功率模塊2022-06-08 20:06
產(chǎn)品型號(hào)：CAB450M12XM3 阻斷電壓：1200V 包裹：XM3 配置：半橋 電阻：2.6μJ 模塊尺寸：80 x 53 x 19 毫米