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• CG2H40045F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-24 09:18

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40045F 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSA效率：PSAT 60% 的效率

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• CG2H40045P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-24 09:16

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40045P 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 60% 的效率

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• C3M0032120D是一款功率轉(zhuǎn)換器2022-05-23 22:03

  

  產(chǎn)品型號：C3M0032120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：120A 功耗：283W

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• C3M0032120J1碳化硅MOSFET2022-05-23 21:57

  

  產(chǎn)品型號：C3M0032120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：120A 功耗：277W

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• C2M0025120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:51

  

  產(chǎn)品型號：C2M0025120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：378W

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• C3M0021120K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:43

  

  產(chǎn)品型號：C3M0021120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：469W

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• C3M0021120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:30

  

  產(chǎn)品型號：C3M0021120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：469W

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• C3M0016120K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:24

  

  產(chǎn)品型號：C3M0016120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：250A 功耗：556W

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• C3M0016120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:15

  

  產(chǎn)品型號：C3M0016120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：250A 功耗：556W

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• C3M0120100K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:05

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W

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