產(chǎn)品
-
C3M0120100J碳化硅MOSFET2022-05-23 20:57
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 單脈沖：83W -
C3M0065100K碳化硅MOSFET2022-05-23 18:20
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110W -
CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-23 14:45
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益 電壓：28 伏操作 -
CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:42
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益 電壓：28 伏操作 -
CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-23 14:36
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64% 增益：3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益 電壓：28 伏操作 -
C3M0065100J碳化硅MOSFET2022-05-22 22:19
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110mJ -
C3M0280090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:45
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：22A 功耗：49W -
C3M0120090D碳化硅MOSFET2022-05-22 21:36
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：97W -
C3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:24
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W -
E3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:54
產(chǎn)品型號(hào)：E3M0120090J 漏源電壓:：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W