
二極管陣列 2 個(gè)獨(dú)立式 SiC(Silicon Carbide)Schottky 650 V 40A 1.58 V @ 40 A 無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io) 0 ns 80 μA @ 650 V
Vishay

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 600 V 15A 2.8 V @ 15 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 21 ns 10 μA @ 600 V
Vishay

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 50 V 215mA 855 mV @ 10 mA 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 4 ns 100 nA @ 50 V
Nexperia
二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 300 V 225mA 1.15 V @ 200 mA 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 50 ns 100 nA @ 240 V
Diodes

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 超級(jí)勢(shì)壘 150 V 15A 880 mV @ 15 A 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 100 μA @ 150 V
Diodes
二極管陣列 1 對(duì)串行連接 標(biāo)準(zhǔn) 240 V 225mA 1 V @ 100 mA 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 50 ns 100 nA @ 240 V
Diodes

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 60 V 1A 540 mV @ 1 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 40 ns 100 μA @ 60 V
Nexperia

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 50 V 30A 750 mV @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 5 mA @ 50 V
Vishay

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 150 V 5A 880 mV @ 5 A 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io) 15 μA @ 150 V
Rohm
