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二極管陣列 1 對(duì)共陰極 SiC（Silicon Carbide）Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A 無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 0 ns 80 μA @ 650 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 30 V 12.5A 490 mV @ 12.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 900 μA @ 30 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 200 V 18A 1.15 V @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 25 ns 10 μA @ 200 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 200 V 18A 1.15 V @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 25 ns 10 μA @ 200 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 100 V 20A 700 mV @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 1.9 mA @ 100 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 30 V 40A 750 mV @ 20 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 12 μA @ 30 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 1200 V 50A 4.41 V @ 50 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 60 ns 18 A @ 18 A

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 45 V 30A 600 mV @ 30 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 450 μA @ 45 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 60 V 4.8A 630 mV @ 5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 600 μA @ 60 V

二極管陣列 1 對(duì)共陰極 肖特基 150 V 5A 770 mV @ 10 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）