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二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 50 V 10A 710 mV @ 10 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 100 μA @ 50 V

二極管陣列 2 對共陽極 標(biāo)準(zhǔn) 90 V 250mA（DC） 1.25 V @ 150 mA 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 4 ns 500 nA @ 80 V

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 35 V 7.5A 630 mV @ 7.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 50 μA @ 35 V

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 60 V 1A 540 mV @ 1 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 40 ns 100 μA @ 60 V

二極管陣列 1 對共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 400 V 16A 1.3 V @ 8 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 50 ns 10 μA @ 400 V

二極管陣列 1 對共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 600 V 16A 1.5 V @ 8 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 50 ns 10 μA @ 600 V

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 45 V 15A 640 mV @ 15 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 100 μA @ 45 V

二極管陣列 2 個(gè)獨(dú)立式 SiC（Silicon Carbide）Schottky 650 V 100A 1.6 V @ 100 A 無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io） 0 ns 200 μA @ 650 V

二極管陣列 1 對共陰極 肖特基 45 V 7.5A 750 mV @ 7.5 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 100 μA @ 45 V

二極管陣列 1 對共陰極 標(biāo)準(zhǔn) 1200 V 410A 3.5 V @ 200 A 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io） 385 ns 200 μA @ 1200 V