WNM07N65F 功率晶體管設(shè)計(jì)與應(yīng)用

功率開關(guān) 晶體管

型號(hào)： WNM07N65F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

產(chǎn)品系列 WNM07N65F
產(chǎn)品類型晶體管
品牌 WILLSEMI/OmniVision

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
WNM07N65F是WILLSEMI/OmniVision推出的一款650V N-Channel 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管。它采用先進(jìn)的高電壓 MOSFET 工藝和設(shè)計(jì)，提供了優(yōu)秀的 RDS(ON) 特性和低門極電荷。該器件適用于流行的 AC-DC 應(yīng)用、功率開關(guān)應(yīng)用和多種其他應(yīng)用。

型號(hào)規(guī)格

品牌：WILLSEMI/OmniVision
型號(hào)：WNM07N65F
名稱：晶體管
封裝：TO-220, TO-220F

型號(hào)特點(diǎn)

650V@TJ=25°C 的最大漏源電壓
典型的 RDS(ON) 為 1.0 歐姆
低門極電荷
100% 雪崩測(cè)試
100% Rg 測(cè)試
最大漏極電流為 7A（TC=25°C）
最大脈沖漏極電流為 28A
單脈沖雪崩能量為 124mJ
最大功率耗散為 156W（TC=25°C）
工作和存儲(chǔ)溫度范圍為 -55°C 至 150°C

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