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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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PXAD184218FV-V1 大功率射頻 LDMOS FET 420 W CREE

型號(hào): PXAD184218FV-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 峰值 P1dB 290 W 典型值
  • P3dB 時(shí)的輸出功 420 W
  • 效率 62%
  • 增益 14 分貝
  • 輸出功率 110 W (WCDMA)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
PXAD184218FV 是一款采用非對(duì)稱設(shè)計(jì)的 420 瓦 (P3dB) LDMOS FET,旨在用于 1805 至 1880 MHz 頻段的多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。特點(diǎn)包括雙路徑設(shè)計(jì);輸入輸出匹配;帶無耳法蘭的高增益和熱增強(qiáng)封裝。采用先進(jìn)的 LDMOS 工藝制造;該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

PXAD184218FV-V1

 


特征
寬帶內(nèi)部輸入輸出匹配
非對(duì)稱 Doherty 設(shè)計(jì):主 P1dB = 130 W Typ;峰值 P1dB = 290 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能;1842.5 兆赫;28 伏;Doherty 配置:P3dB 時(shí)的輸出功率 = 420 W;效率 = 62%;增益 = 14 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @ 28 V;110 W (WCDMA) 輸出功率
集成 ESD 保護(hù)
無鉛;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器


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