MACOM MBC50-2B12是電容器在熱生長(zhǎng)的二氧化硅基底上使用氮化硅電介質(zhì)。所得復(fù)合電介質(zhì)表現(xiàn)出低泄漏電流和插入損耗，具有出色的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。電容的溫度系數(shù)通常為 +55 ppm / oC，非常適合高可靠性應(yīng)用。
特征
低漏電流
優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性
低插入損耗
電容范圍 MIN(pF) 0.16
電容范圍 MAX(pF) 0.24
Dwv MIN(V) 50
最小紅外(nA) 1000
Tcc 典型值（ppm/攝氏度）55
包裹 B11
應(yīng)用
航空航天
國(guó)防
ISM
相關(guān)型號(hào)
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