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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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MBC50-1.0B14 電容器

型號(hào): MBC50-1.0B14

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 零件編號(hào) MBC50-1.0B14
  • 簡(jiǎn)短描述 MNOS系列電容器
  • 電容范圍MIN(pF 0.80
  • 最大電容范圍(pF) 1.20
  • 類型 光束引線

--- 產(chǎn)品詳情 ---

MBC50-1.0B14電容器利用熱生長(zhǎng)二氧化硅基上的氮化硅介質(zhì)。合成的復(fù)合電介質(zhì)具有低泄漏電流和插入損耗,具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。電容溫度系數(shù)通常為+55 ppm/oC。

MBC50-1.0B14


產(chǎn)品規(guī)格
零件編號(hào)   MBC50-1.0B14
簡(jiǎn)短描述   MNOS系列電容器
電容范圍MIN(pF)   0.80
最大電容范圍(pF)   1.20
類型   光束引線
最小偏差(V)   50
最小IR(nA)   1000
Tcc類型(ppm/攝氏度)   55
CT(pF)   1

 


特征
低泄漏電流
優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性
低插入損耗


應(yīng)用
航空航天與國(guó)防
ISM

 

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