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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

8k 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 307 粉絲

QPD0030 射頻功率晶體管

型號: QPD0030

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 5,000
  • 增益(分貝) 22.3
  • 飽和度(dBm) 46.9
  • PAE (%) 71.5
  • 電壓(伏) 48
  • Idq (毫安) 85
  • 包裝類型 QFN
  • 包裝(毫米) 4.0 x 3.0

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD0030 

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD0030 是一款 45W (P3dB) 無與倫比的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 48V 電源軌上以 DC 至 5GHz 的頻率運行。它非常適合基站、雷達和通信應用,并且可以支持 CW 和脈沖操作模式。
QPD0030 可用于小型基站、微型基站和有源天線系統(tǒng)基站功率放大器末級的 Doherty 架構(gòu)。QPD0030 還可用作微蜂窩基站功率放大器中的驅(qū)動器。
該器件采用行業(yè)標準的 4 x 3 mm 表面貼裝 QFN 封裝。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 5,000
增益(分貝) 22.3
飽和度(dBm) 46.9
PAE (%) 71.5
電壓(伏) 48
Idq (毫安) 85
包裝類型 QFN
包裝(毫米) 4.0 x 3.0

 

主要特征
頻率范圍:直流至 5 GHz
輸出功率 (P3dB):2.2 GHz 時為 49 W
線性增益:2.2 GHz 時典型值為 22.3 dB
典型 PAE3dB:2.2 GHz 時為 71.5%
工作電壓:48V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力

 

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