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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

8k 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 307 粉絲

QPD1028L 射頻晶體管 GaN

型號(hào): QPD1028L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 1,200
  • 最大頻率(MHz) 1,400
  • 增益(分貝) 18
  • OP1dB (dBm 58.75
  • 飽和度(dBm) 59
  • 排水效率(%) 70
  • 電壓(伏) 65
  • Idq (毫安) 750
  • 包裝類型 NI-780
  • 包裝(毫米) 20.57 x 9.78 x 3.63

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1028L

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的QPD1028L 是一款 750W 分立式 GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz,通常提供 59dBm 的飽和輸出功率以及 18dB 的大信號(hào)增益和 70% 的漏極效率。
封裝內(nèi)的輸入預(yù)匹配可簡(jiǎn)化外部電路板匹配并節(jié)省電路板空間。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝,非常適合雷達(dá)應(yīng)用。該器件可支持 CW 和脈沖操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 1,200
最大頻率(MHz) 1,400
增益(分貝) 18
OP1dB (dBm) 58.75
飽和度(dBm) 59
排水效率(%) 70
電壓(伏) 65
Idq (毫安) 750
包裝類型 NI-780
包裝(毫米) 20.57 x 9.78 x 3.63

 

主要特征
工作頻率范圍:1.2 - 1.4 GHz
飽和輸出功率 P SAT:59dBm
P SAT時(shí)的排水效率:70%
P SAT時(shí)的大信號(hào)增益:18 dB
偏壓:V DS =+65V,I DQ =750mA
封裝類型:NI-780
封裝尺寸:20.57 x 9.78 x 3.63 毫米

 

相關(guān)型號(hào)
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QPD1028L
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