產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1029L 是 SiC HEMT 上的 1500 W (P3dB) 分立式 GaN，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz。封裝內(nèi)的輸入預(yù)匹配可簡化外部電路板匹配并節(jié)省電路板空間。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝，非常適合 IFF、航空電子設(shè)備和測試儀器。該器件可支持 CW 和脈沖操作。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 1,200
最大頻率(MHz) 1,400
飽和度(dBm) 61.8
PAE （%） 75
電壓（伏） 65
Idq （毫安） 1,500
包裝類型 NI-1230（有耳）
主要特征
頻率范圍：1.2 - 1.4 GHz
輸出功率 (P3dB)：1.3 GHz 時為 1500 W
線性增益：1.3 GHz 時典型值為 21.3 dB
典型 PAE3dB：1.3 GHz 時為 75%
工作電壓：65V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
相關(guān)型號
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