產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 TGF2819-FL 是一款峰值功率大于 200 W（平均 40 W）(P3dB) 的 SiC HEMT 分立式 GaN，工作頻率范圍為 DC 至 4.0 GHz。該器件采用 Qorvo 經(jīng)過驗證的 TQGaN25HV 工藝構(gòu)建，該工藝采用先進(jìn)的場板技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。就更少的放大器陣容和更低的熱管理成本而言，這種優(yōu)化可能會降低系統(tǒng)成本。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 4,000
增益（分貝） > 14
飽和度(dBm) 51
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 250
包裝類型 NI-360
主要特征
頻率范圍：DC - 4 GHz
輸出功率 (P 3dB ) 1 : 257 W
線性增益1 : 18 dB
典型 PAE 3dB 1 : > 67.5%
工作電壓：50V
CW 和脈沖能力
注 1：@ 3 GHz 負(fù)載牽引
相關(guān)型號
QPD9300
T1G4020036-FL
T1G4020036-FS
T2G4005528-FS
T2G6000528-Q3
T2G6001528-Q3
T2G6001528-SG
T2G6003028-FL
T2G6003028-FS
TGF2023-2-01
TGF2023-2-02
TGF2023-2-05
TGF2023-2-10
TGF2023-2-20
TGF2819-FL
TGF2819-FS
TGF2929-FL
TGF2929-HM
